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真空鍍膜的物理過(guò)程
PVD（物理氣相沉積技術(shù)）的基本原理可分為三個(gè)工藝步驟：
（1）鍍料的氣化：即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源
（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過(guò)碰撞，產(chǎn)生多種反應(yīng)。
（3) 鍍料粒子在基片表面的沉積

薄膜的形成順序?yàn)椋壕哂幸欢芰康脑颖晃健纬尚≡訄F(tuán)→臨界核→小島→大島→島結(jié)合→溝道薄膜→連續(xù)薄膜。因此薄膜的形成過(guò)程可分為四個(gè)階段；臨界核的形成；島的形成、長(zhǎng)大與結(jié)合；溝道薄膜的形成和連續(xù)膜的形成。

真空鍍膜的工藝流程
真空鍍膜的工藝流程一般依次為：前處理及化學(xué)清洗（表面打磨拋光噴砂，除銹除油去氧化層）→工件在真空中烘烤加熱→氬離子輝光清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過(guò)渡層→鍍膜（通入反應(yīng)氣體）→后處理（爐內(nèi)鈍化或出爐后鈍化去應(yīng)力或防止變色，過(guò)UV做防指膜處理等）。